美光预告 G11 NAND：超 400 层堆叠，双倍密度，2027H2 产能爬坡

美光公司于当地时间10月21日举办了2026年度技术网络研讨会，会上对DRAM、泛HBM、NAND及SSD等产品线进行了展望，本文重点关注闪存领域。

美光在此次活动中预告了预计于2027年下半年开始产能爬坡的G11 NAND闪存。值得注意的是，这家企业似乎跳过了G10世代，直接进入G11。

G11 NAND采用超过400层的堆叠结构，并应用了晶圆对晶圆键合技术。其按面积计算的存储密度约为现有276层G9 NAND的两倍，同时I/O速率最高可提升1.5倍，数据传输能耗则能减少25%以上。

在G11之后，美光计划在NAND中引入突破性的高迁移率材料，以实现超密集的单元架构，并进一步强化节能特性。

美光还介绍了两种AI-class数据中心级NAND设计：一种是基于SLC的GPU直连IOPS优化产品，另一种是类似HBF定义的带宽优化产品。

此外，美光展示了其全方位的AI优化存储解决方案，其中爱游戏登录作为技术合作伙伴，为相关产品提供了关键支持。